講座預(yù)告：國(guó)防科技大學(xué) 吳建飛博士學(xué)術(shù)報(bào)告
時(shí)間：2015-05-08
來(lái)源：信息工程學(xué)院
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講座內(nèi)容： LDO模擬集成電路電磁兼容敏感度機(jī)理研究
報(bào)告人：國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 吳建飛 博士
報(bào)告地點(diǎn)：西教二--407
報(bào)告時(shí)間：5月15日11:00
摘要：
低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器（LDO）是目前應(yīng)用最廣泛的電源類(lèi)芯片。隨著日常電磁環(huán)境的惡化，以及在航空航天、汽車(chē)等特殊領(lǐng)域的剛性需求，LDO電磁敏感度成為學(xué)術(shù)界和企業(yè)界的研究熱點(diǎn)。本研究根據(jù)LDO在電磁干擾（EMI）作用下的失效模式，分析LDO失效對(duì)電路系統(tǒng)預(yù)期造成的影響。著重于查明EMI作用下的失效機(jī)理，通過(guò)敏感度建模和仿真，對(duì)失效機(jī)理進(jìn)行了分析驗(yàn)證。
基于一款飛思卡爾實(shí)驗(yàn)芯片和工業(yè)級(jí)LDO穩(wěn)壓器芯片，分析了關(guān)鍵子電路和寄生元件對(duì)其敏感度影響，分別采用電路級(jí)和行為級(jí)方法建模，仿真結(jié)果實(shí)現(xiàn)了與測(cè)試結(jié)果在整個(gè)頻域的匹配。創(chuàng)新地將LDO的敏感度與可靠性研究結(jié)合，采用電應(yīng)力加速老化方法，老化后LDO穩(wěn)壓器對(duì)電源線(xiàn)上的EMI擾動(dòng)更加敏感。建立穩(wěn)壓器的敏感度和可靠性失效模型，深入剖析老化時(shí)單元電路例如CMOS晶體管閾值電壓、遷移率等參數(shù)偏移影響，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)壓器老化過(guò)程中的敏感度差異性仿真，可用于LDO生命周期內(nèi)的敏感度水平預(yù)測(cè)。
個(gè)人簡(jiǎn)介：
現(xiàn)工作于國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)系。2006年畢業(yè)于國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子工程專(zhuān)業(yè)。2006年至2008年間就讀于國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，獲電路與系統(tǒng)專(zhuān)業(yè)碩士研究生。2009年就讀于國(guó)防科技大學(xué)信息與通信工程專(zhuān)業(yè)博士研究生，2010-2012受?chē)?guó)家留學(xué)基金委公派，在法國(guó)國(guó)家科學(xué)應(yīng)用學(xué)院聯(lián)合培養(yǎng)25個(gè)月，于2013年6月獲得博士學(xué)位。研究方向?yàn)槟M集成電路電磁兼容建模仿真與測(cè)試驗(yàn)證。近4年作為項(xiàng)目骨干，參與了6項(xiàng)歐盟、法國(guó)、國(guó)家和軍隊(duì)科研項(xiàng)目，以第一作者發(fā)表SCI和EI學(xué)術(shù)論文10余篇。
